ヘテロ集積化における接合技術|半導体・先端デバイスの集積化
ヘテロ集積化の全体像と、接合技術を中心とした基本的な考え方・事例を紹介します。
ヘテロ集積化の全体像と、接合技術を中心とした基本的な考え方・事例を紹介します。
手動洗浄で用いるウェハー洗浄ジグの選び方について、洗浄条件や汚れの性質から整理し、横型・縦型の使い分けを解説します。
評価装置の設計・製作フローを詳しく解説します。一般的事例の紹介も掲載。
ALD(原子層堆積法)がなぜ膜厚精度に優れているのかを平易に解説。自己終端反応とプロセスウィンドウの関係、熱CVD・パルスCVDとの違い、実装での工夫やポストアニールまで、産業適用視点でまとめています。
ウェハー接合(Wafer Bonding)の役割と代表的な接合方式、それぞれの特徴を一般論として整理しています。
中間材料を使わずにウェハーを直接接合する「直接接合(Direct Bonding)」について、
基本的な考え方と特徴を紹介します。
拡散接合(Diffusion Bonding)の基本的な考え方と特長を解説します。
一時液相形成を利用するTLP接合の基本的な考え方と特長を解説します。
電界を利用してガラスとシリコンを接合する陽極接合の基本的な考え方を解説します。
表面活性化を利用したガラス-PDMS永久接合の基本的な考え方を解説します。