ALD（Atomic Layer Deposition | 原子層堆積）とは？
原子層レベルで膜厚を制御できる究極の薄膜成膜技術。
他の成膜法では難しい 高均一性・高精度・薄膜制御 を可能にし、
MEMS・半導体・光学・センサなど幅広い応用を支えます。
ALDがなぜ圧倒的な膜厚精度と均一性を実現できるのかを
原理からわかりやすく解説しています。
ALD成膜・開発受託
ALD技術解説
成膜実績
| 用途 | プリカーサ | 反応ガス | 受託成膜対応可能 | |
|---|---|---|---|---|
| Al2O3 アルミナ 酸化アルミニウム | パッシベーション(絶縁)膜 ガスバリア | TMA トリメチルアルミニウム | H2O | 4インチまで |
| TiO₂ チタニア | 高誘電率膜 | |||
| HfO₂ ハフニア | 高誘電率膜 | |||
| Pt 白金 | 金属電極 | トリメチル（メチルシクロペンタジニエル）白金 | O2 | 4インチまで |
| Ru ルテニウム | 金属電極 | Carish | O2 | 4インチまで |
| Fe 鉄 | 磁性薄膜 | DIPPA-Fe | O2＋NH3 | |
| Co コバルト | 磁性薄膜 | DIPPA-Co | O2＋NH3 | |
| Ni ニッケル | 磁性薄膜 |
膜質評価
- エリプソメータ（膜質評価・膜厚測定）
- XRD（結晶評価）
- XPS（膜質評価）
- その他光学測定（膜質評価）
お問い合わせはこちら
研究開発中のテーマや未公開内容を含むご相談については、
秘密保持契約（NDA）を前提とした対応が可能です。
初期検討段階の内容でも問題ありませんので、どうぞお気軽にお問い合わせください。